Главная > Разное > Солнечные элементы: Теория и эксперимент
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

6.4. Заключение

При достижении приемлемых значений КПД и стабильности солнечные элементы с поликристаллическими слоями станут перспективными для широкомасштабного применения. Элементы на основе поликристаллических

слоев с большими размерами кристаллитов продемонстрировали, в отличие от ранее бытовавшего мнения, возможность достижения высоких КПД при наличии межкрнсталлитных границ. Тем не менее ввиду необходимости резки слитка на пластины этот материал не обеспечивает каких-либо существенных экономических выгод. Реальное достоинство поликристаллических материалов — это возможность использования высокопроизводительных методов получения тонких пленок и снижение толщины активных областей солнечного элемента за счет применения в качестве поддерживающей основы дешевых подложек.

В солнечных элементах на основе поликристаллического кремния с крупным размером зерна значения несколько ниже, чем в изготовленных из монокристалла. На основе поликристаллических слоев прямозонных широкозонных материалов не зависит от размера зерна. Однако там, где размеры зерна малы, наблюдают очень низкие что является основным препятствием в достижении высоких КПД.

Перспективы применения тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов зависят от того, насколько удастся снизить влияние межкрнсталлитных границ. Это можно сделать тремя путями: 1) уменьшением числа границ за счет увеличения размера зерна в процессе и (или) после осаждения слоев; 2) пассивацией границ за счет устранения или уменьшения возможности движения носителей заряда к границам, где они рекомбинируют; 3) применением материалов, в которых межзеренные области не активны.

Высокая квантовая эффективность собирания носителей заряда, наблюдаемая в пленках с малыми размерами зерен и (или) малыми толщинами, указывает на присущую этим материалам электрическую пассивность межзеренных границ, по крайней мере проявляемую по отношению к Эти материалы тем не менее могут способствовать разгадке механизмов, ответственных за пассивацию межкристаллитных областей в других полупроводниках и на границах раздела гетеропереходов.

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление