Главная > Разное > Солнечные элементы: Теория и эксперимент
<< Предыдущий параграф
Следующий параграф >>
<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Макеты страниц

СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ

- диодный коэффициент

— эффективные постоянные Ричардсона

- активная освещенная площадь и обшая площадь диода

а - постоянная кристаллической решетки

С — емкость; коэффициент концентрации солнечного излучения

- коэффициент диффузии атомов, носителей заряда

- коэффициент диффузии электронов, дырок

Е - энергия

- энергетические уровни акцепторов, доноров

- энергия, соответствующая краю зоны проводимости

- уровень Ферми

- квазиуровни Ферми, для электронов, дырок

- ширина запрещенной зоны

- уровень химического потенциала в собственном полупроводнике

- энергетический уровень рекомбинационного центра

- энергия, соответствующая краю валентной зоны

- энергия электрона в вакууме

— характеристические энергии для процесса переноса носителей заряда, обусловленного термоэлектронно-полевой эмиссией

- напряженность электрического поля

- функция распределения Ферми

- коэффициент заполнения вольт-амперной характеристики

- объемная функция собирания (внутренний коэффициент собирания носителей заряда)

- общая функция собирания

- функция собирания, соответствующая границе раздела

- ток

— ток короткого замыкания

— плотность тока

— плотность фототока: общего, для электронов и дырок

- плотность тока, соответствующая максимальной выходной мощности

- плотности электронного и дырочного токов

- плотность тока короткого замыкания

- плотность обратного тока насыщения

- предэкспоненциальный множитель в выражении для

- коэффициенты радиационного повреждения

к - постоянная Больцмана

- равновесный коэффициент сегрегации

- диффузионная длина носителей заряда

диффузионная длина электронов, дырок

- относительные потери мощности на последовательном и шунтирующем сопротивлениях

- эффективная масса электронов, дырок

- эффективная масса туннелирующих носителей заряда

- масса покоя электрона

- концентрация

- концентрация акцепторов, доноров

- эффективная плотность состояний в зоне проводимости, валентной зоне

- поверхностная плотность состояний на границах зерен

- поверхностная плотность состояний на границе раздела

- концентрация рекомбинационных центров

— концентрация электронов

- собственная концентрация носителей заряда

- неравновесные концентрации электронов в материалах и -типов

проводимости

- равновесные концентрации электронов в материалах и -типов проводимости - показатель преломления

- удельная мощность

- удельная мощность, соответствующая оптимальной точке нагрузочной вольтамперной характеристики

- облученность, создаваемая солнечным светом

- концентрация двдюк

- неравновесные концентрации дырок в материалах и -типов проводимости

— равновесные концентрации дырок в материалах и -типов проводимости

- поверхностная плотность заряда на границе раздела

- заряд электрона

- коэффициент отражения; сопротивление

- последовательное, шунтирующее и контактное сопротивления

— параметр, характеризующий состояние поверхности

- скорость рекомбинации на поверхности и границе раздела

- скорость рекомбинации на границах зерен

Т - температура

- коэффицкент прозрачности потенциального барьера (вероятность туннелирования носителей) t - время; толщина слоя

- скорость объемной рекомбинации

- темп рекомбинации на границах зерен

- напряжение

- диффузионный (встроенный) потенциал

- диффузионный потенциал (контактная разность потенциалов) на границах зерен

- напряжение, соответствующее максимальной выходной мощности

- напряжение холостого хода

средняя тепловая скорость носителей заряда

ширина обедненного слоя

- ширина обедненного слоя, расположенного по одну сторону от границы зерна

— толщина изолирующего слоя

- координаты

— оптический коэффициент поглощения; параметр в показателе степени экспоненциального множителя, входящего в выражение для туннельного тока

- плотность потока фотонов

- плотность потока фотонов на фронтальной поверхности солнечного элемента

- размер зерна

- разность энергий

- разрыв зоны проводимости, валентной зоны

- толщина слоя диэлектрика в МДП-структуре

разность энергий между уровнем Ферми и краем зоны проводимости или краем валентной зоны

— диэлектрическая проницаемость полупроводника, высокочастотная диэлектрическая проницаемость

- коэффициент собирания носителей заряда

- коэффициент полезного Действия преобразования солнечной энергии

- длина волны

- подвижность электронов, дырок

— частота света

- объемная плотность заряда; объемное удельное сопротивление

- удельное сопротивление контакта (общее и при отсутствии напряжения смещения)

- слоевое сопротивление

— удельная проводимость; сечение захвата носителей заряда

- сечение захвата для электронов, дырок

— время жизни неосновных носителей заряда

- время жизни электронов, дырок

предельное время жизни электронов, дырок

- суммарная по времени плотность потока корпускулярной радиации

- работа выхода

- высота потенциального барьера

- разность потенциалов, создаваемая электрическими диполями в области границы раздела

- энергия сродства к электрону

<< Предыдущий параграф Следующий параграф >>
Оглавление